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薄膜片式電阻器生產(chǎn)如何處理薄膜片與溫度TCR相互影響

來源：萬利隆電子人氣：2000 發(fā)布時間：2019-03-15

薄膜片式電阻器是近幾年來發(fā)展最迅速、應用范圍最廣片式電阻器，相比厚膜片式電阻器而言，薄膜片式電阻器的電阻膜層主要成分為鎳鉻合金，經(jīng)過精密加工和后期處理，阻值精度可達±0.05%，溫度系數(shù)可達到±5ppm/℃，穩(wěn)定度可達到0.02%，是替代低精度的厚膜片式電阻器以及傳統(tǒng)高精度、高穩(wěn)定柱狀帶引線電阻器。生產(chǎn)薄膜片式電阻器技術要求非常嚴格，如果處理不好薄膜片與溫度TCR相互影響，將會導致薄膜片式電阻器失敗率非常高。

在很多貼片電阻器按薄膜片狀電阻器標準進行生產(chǎn)和試驗，其阻值采用美國塑數(shù)字萬用表測逯，對于10Q以下的電阻器均以四端渕置法迸行測試。此外，還按IEC標準規(guī)定的方法生產(chǎn)電租器的絕緣電阻值，以及應用電子能譜技術和化學微鍛分析法研究了不同基片溫度下蒸發(fā)的電阻膜成分

薄膜片式電阻器進行生產(chǎn)的基片溫度是影響薄膜片狀電駔器性能的關鍵參數(shù)之一。薄膜片狀電阻器的TCR與蒸發(fā)NiCr膜、Au膜時基片溫度(Ts-NiCr、Ts-Au)的關系，隨著Ts-NiCr的升高，其TCR從負值趨向于零，再向正依增大。這是由于基片溫度升髙，使得NiQ薄膜的晶粒增大，晶粒邊界面積減小，蒸發(fā)Aii膜時基片溫度Ts-Au對TCK的影響則相反。這可通過Au聯(lián)與NiCr膜之間的互擴散隨其基片溫度的升髙而垴強來解釋。因為在光刻腐蝕Au時，NiCr/Au互擴散層Ui被腐蝕掉薄膜片電阻器的TCK與薄膜片狀電阻器的TCK有一定關系。

所以互散效應加強時，NiCr/Au互擴層的厚度增大，經(jīng)光刻后從薄膜片上的NiCr膜厚度隨之減小。由于NiCr合金中Ni、Cfft蒸氣壓相差很大，所以蒸發(fā)速率大為不同，于是NiCr膜在厚度方向上成分的分布不相同，越接近基片，其含CrMH例越大。這時的Cr多以Crs03的形式存在，而CV203是一種半導體轉(zhuǎn)化物，其TCR為負值，所以升高Ts-Au,使得電阻器的TCR趨于負向。

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