精密箔式電阻器在5G基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域大放異彩

來源：萬利隆電子閱讀量：4019發(fā)布時(shí)間：2022-06-15

精密箔式電阻器是目前市場上比較熱銷電阻器，目前5G部署正在全面展開，截至2021年底，中頻基礎(chǔ)設(shè)施的安裝數(shù)量幾乎是2019年的6倍，特別是在中國和“一帶一路”基礎(chǔ)設(shè)施。然而，這并不意味著所有的挑戰(zhàn)都已解決。很多5G基礎(chǔ)設(shè)施都是在較低頻段改造4G設(shè)備。向5G的真正過渡來自對更高頻率的采用，這些頻率主要分為6ghz以下和毫米波(>20 GHz)樂隊(duì)。隨著5G部署向更高頻率過渡，天線的設(shè)計(jì)、技術(shù)和材料選擇也發(fā)生了轉(zhuǎn)變。市場對MICROHM MVR系列等精密箔式電阻器的需求也被推向了更高的水平，對于MICROHM即將到來的預(yù)測。因此，這些將影響幾個(gè)因素，如半導(dǎo)體技術(shù)，相關(guān)的模具附著材料，和熱界面材料及其供應(yīng)鏈。

雖然低于6 GHz的5G可能無法提供令人驚訝的速度和經(jīng)常為5G宣傳的應(yīng)用程序，但它在實(shí)現(xiàn)大面積覆蓋方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其中一些在較低頻段更接近于歷史上的4G，但當(dāng)我們超過4ghz時(shí)，歷史上的“橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體”功率放大器開始努力提高效率。這就是像砷化鎵這樣的寬禁帶半導(dǎo)體開始發(fā)光的地方。華為等公司在其4G基礎(chǔ)設(shè)施中采用GaN，這是Microhm集團(tuán)終端客戶強(qiáng)烈推薦的。預(yù)計(jì)GaN將在5G中占據(jù)更大的市場份額，隨之而來的是芯片連接技術(shù)的轉(zhuǎn)變。事實(shí)上，未來10年，5G基礎(chǔ)設(shè)施對GaN功率放大器的年需求將增長400%。AuSn是現(xiàn)今典型的氮化鎵貼片材料，但我們預(yù)見到燒結(jié)漿料的機(jī)會，因?yàn)樗鼈兊臒嵝阅艿玫搅烁纳啤?/span>

5G的另一項(xiàng)流行技術(shù)是大規(guī)模MIMO，使基礎(chǔ)設(shè)施能夠在同一頻段為更多終端服務(wù)。這增加了每個(gè)安裝的射頻鏈的數(shù)量，波束形成能力，以及網(wǎng)絡(luò)中使用的天線元件的數(shù)量。其結(jié)果是增加了天線PCB、功率放大器、波束形成組件等所需的材料。大規(guī)模MIMO還會提高數(shù)據(jù)傳輸速率和通道，從而對基帶處理單元和功耗提出更高的要求，從而為熱界面材料帶來更大的市場機(jī)會。以上是任何開放的機(jī)會，為所有包裝材料供應(yīng)商在亞洲，Microhm電子有限公司愿意分享和支持的精密箔電阻器與所有終端用戶或合作伙伴在這個(gè)領(lǐng)域。

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