低溫漂薄膜電阻最新研發(fā)電阻生產(chǎn)技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-04-04

低溫漂薄膜電阻生產(chǎn)方式有很多，隨著科技的進(jìn)步電阻生產(chǎn)技術(shù)有了很大的提高，生產(chǎn)低溫漂薄膜電阻也進(jìn)行電阻技術(shù)改革，這種新型方式生產(chǎn)薄膜電阻一般是在干凈的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層，得到薄膜電阻；對(duì)薄膜電阻進(jìn)行熱處理；

熱處理后的薄膜電阻的金屬電極層進(jìn)行刻蝕，得到預(yù)期圖形；再對(duì)正電阻溫度系數(shù)材料層進(jìn)行刻蝕得到預(yù)期線(xiàn)條圖案；調(diào)整負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層的面積，得到溫度系數(shù)≤±10ppm/℃的低溫度系數(shù)薄膜電阻；

得低溫度系數(shù)薄膜電阻上表面制備鈍化保護(hù)層，通過(guò)光刻法刻蝕露出金屬電極層，得到低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻。為了進(jìn)一步的得到薄膜電阻，通常采用金屬電極層的刻蝕為光刻、濕法腐蝕的方法。正電阻溫度系數(shù)材料層的刻蝕為光刻、離子刻蝕的方法，負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層的面積調(diào)整通過(guò)離子刻蝕和激光調(diào)阻的方法；鈍化保護(hù)層制備通過(guò)PECVD沉積的方法。

薄膜電阻的基底為玻璃或陶瓷；基底上為負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層，其上設(shè)置正溫度系數(shù)材料層，正溫度系數(shù)材料層全部或者部分覆蓋負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層；正溫度系數(shù)材料層上表面設(shè)有金屬電極層以及非金屬電極層區(qū)域的鈍化保護(hù)層。

低溫漂薄膜電阻最新新型生產(chǎn)方法的優(yōu)點(diǎn)是采用電阻結(jié)構(gòu)采用負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層的雙層復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，能夠靈活調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)，使其具有低電阻溫度系數(shù)；這種電阻結(jié)構(gòu)采用薄膜工藝，薄膜圖形精度高，體積小，此外雙層薄膜結(jié)構(gòu)，具有正溫度系數(shù)的材料層覆蓋具有負(fù)電阻溫度系數(shù)的材料層，可以有效提高電阻穩(wěn)定性，兼顧薄膜電阻的高精度與低溫度系數(shù)。

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