薄膜電阻低溫漂設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括哪些

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2019-05-29

低溫漂電阻對(duì)于很多行業(yè)來(lái)說(shuō)非常重要，許多產(chǎn)品要求的電阻在一定溫度范圍內(nèi)保持一定的低溫漂設(shè)計(jì)，對(duì)于很多類(lèi)型的低溫漂電阻來(lái)說(shuō)，電阻低溫漂往往取決于電阻材料的使用。目前很多薄膜電阻低電阻溫度系數(shù)結(jié)構(gòu)材料的結(jié)構(gòu)一般包括玻璃或陶瓷基底、負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層、金屬電極層、鈍化保護(hù)層，這種低溫漂薄膜電阻具有非常重要的作用。

低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻，結(jié)構(gòu)包括微晶玻璃基底，TaN電阻材料層與Ni60Cr40金屬電阻材料層，W90Ti10/Au電極層，以及SiO2保護(hù)層。TaN電阻材料層設(shè)于微晶玻璃基底與Ni60Cr40金屬電阻材料層之間；Ni60Cr40金屬電阻材料層上表層設(shè)有W90Ti10/Au電極層以及非W90Ti10/Au電極層區(qū)域的SiO2保護(hù)層。低溫漂薄膜電阻生產(chǎn)方法包括以下步驟：

1、選用尺寸為50.8mm×50.8mm×0.3mm的微晶玻璃基片，清洗干凈后，通過(guò)磁控濺射的方法，依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)的TaN電阻材料層、正電阻溫度系數(shù)的Ni60Cr40金屬電阻材料層與W90Ti10/Au金屬電極層；

2、將微晶玻璃基片、制得薄膜電阻放入300℃烘箱，熱處理3h；

3、通過(guò)光刻和濕法腐蝕的方法，制作出金屬電極區(qū)域圖形；

4、通過(guò)光刻和離子刻蝕的方法，將Ni60Cr40金屬材料層制作出電阻線條圖案；

5、電阻線條圖案得到的基片裝入夾具，測(cè)得薄膜電阻的溫度系數(shù)為-18～-13.4ppm/℃；

6、在通過(guò)離子刻蝕和激光調(diào)阻的方法，減小TaN電阻材料層的面積，測(cè)試溫度系數(shù)約為-4.6～-2.1ppm/℃；

7、利用PECVD在該基板正面沉積SiO2保護(hù)層，通過(guò)光刻的方法，露出W90Ti10/Au電極層區(qū)域。

目前采用低電阻溫度系數(shù)的薄膜電阻結(jié)構(gòu)的基底為微晶玻璃，基底上為T(mén)aN電阻材料層，它上面設(shè)置Ni60Cr40金屬電阻材料，Ni60Cr40金屬電阻材料部分覆蓋TaN金屬電阻材料；TaN與Ni60Cr40金屬電阻材料層上設(shè)置W90Ti10/Au金屬電極區(qū)域和SiO2保護(hù)層區(qū)域。薄膜電阻電阻通過(guò)這些生產(chǎn)流程可以實(shí)現(xiàn)低溫漂設(shè)計(jì)，具有很好的穩(wěn)定性，目前很多電阻廠家都在積極推進(jìn)這種生產(chǎn)方式。

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