MOS晶體管和薄膜芯片電阻有哪些不同

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2021-02-03

薄膜芯片電阻采用插件電阻封裝模式，在外觀上和MOS晶體管有很想象。不過兩者之間存在很多差異。MOS晶體管是一種類似于放電的半氧體晶體管類型。MOS晶體管 kanal-N的基本構(gòu)造可以在相關(guān)結(jié)構(gòu)中看到。MOS晶體管 kanal-N是用P型硅基材料制成的，通常稱為下質(zhì)。在大多數(shù)具體組件中，子元素被連接到稱為子元素的終端，即第四終端。終端drain (D)通過與N型金屬的接觸，以及與S型端子的接入點(diǎn)，由它們組成的串聯(lián)管道連接起來。終端門通過金屬接觸連接到kanan的一側(cè)。但最重要的是，在金屬門與kanal-N的接觸之間有一層硅氧化物，具有絕緣作用。

與薄膜芯片電阻不同的是MOS晶體管的符號(hào)kana- n和kana- p就像連續(xù)顯示的那樣。如果SS終端在內(nèi)部沒有連接，那么MOS晶體管就是四個(gè)終端的組成部分。不同于JFET的符號(hào)，他在門上的箭，對(duì)于MOS晶體管門沒有箭，因?yàn)橛羞\(yùn)河的門不是P-N樞紐。終端門和kanan之間的電氣無連接。這使得MOS晶體管的阻抗劑非常高，高于JFET輸入的阻抗。因此，在直流折射率中，IG門電流被認(rèn)為等于0。在過去的MOS晶體管被稱為IGFET，因?yàn)樗慕K端與kanan - n是隔離的。

薄膜芯片電阻工作原理比較簡(jiǎn)單，非常容易理解，對(duì)于解釋MOS晶體管的工作原理和特征將從提供VGS = 0和VDS正弦開始。VGS = 0是通過將G端連接到S.通常是連接到S.正弦電壓的黨衛(wèi)軍終端。當(dāng)VDS放大至副總裁時(shí)，ID流將飽和不再上升即IDSS。如果VGS是負(fù)的，那么終端門上的負(fù)電荷就會(huì)排斥kanan的自由電子，使其遠(yuǎn)離kanan的區(qū)域，進(jìn)入次級(jí)p。這將清空自由電子的kanan，所以ID流越來越小。如果負(fù)的VGS電壓繼續(xù)上升到所有自由電子的kanan空，那么ID電流就不能再增加，即使通過增加VDS。

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