貼片電阻應(yīng)用當(dāng)宏觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)會(huì)出現(xiàn)哪些問(wèn)題

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2021-03-31

貼片電阻應(yīng)用當(dāng)宏觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí)，當(dāng)脈沖電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)，測(cè)量的電阻大幅增加。高壓處理導(dǎo)致燃燒和蒸發(fā)的電阻層，從而減少其體積，并導(dǎo)致顯著的電阻增加，類似于在電阻的組成與貼片電阻。自從低頻率噪聲應(yīng)承擔(dān)的厚膜電阻應(yīng)承擔(dān)的電荷傳輸?shù)慕Y(jié)果波動(dòng),噪聲指數(shù)與電阻的值在協(xié)議的行為。由于貼片電阻高壓治療,傳導(dǎo)正在調(diào)制電荷陷阱捕捉到不直接參與導(dǎo)電,從而改變MIM單位的潛在障礙的高度。由于這些原因，測(cè)量的噪聲指數(shù)值對(duì)微觀結(jié)構(gòu)水平的變化比電阻更敏感。

貼片電阻結(jié)構(gòu)特性和低頻噪聲之間已建立的相關(guān)性也可以通過(guò)噪聲譜測(cè)量來(lái)說(shuō)明。貼片電阻可以對(duì)當(dāng)前噪聲譜的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和以下理論關(guān)系進(jìn)行擬合其中kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對(duì)溫度，R為厚電阻膜的電阻。1/f噪聲用第二項(xiàng)表示，其中B0和γ為擬合參數(shù)。洛倫茲形狀的噪聲譜的和由第三項(xiàng)表示，其中Ci和fCi分別是特征參數(shù)和頻率。

貼片電阻在總電流噪聲頻譜中，1/f噪聲占主導(dǎo)地位。擬合參數(shù)B0和γ可用于確定其對(duì)高壓處理的靈敏度。貼片電阻在應(yīng)變前后的擬合參數(shù)γ值均為γ = 1。顯示了B0的當(dāng)前依賴項(xiàng)。參數(shù)B0隨外加應(yīng)力和B0 ~ Ia的電流依賴性約增加一個(gè)數(shù)量級(jí)，指數(shù)為a >2 . before and a <2后。高電壓脈沖應(yīng)變后，簇內(nèi)遷移率波動(dòng)和粒子間接觸產(chǎn)生的噪聲對(duì)總噪聲的貢獻(xiàn)可能是導(dǎo)致a指數(shù)變化的原因。對(duì)很多電子電路來(lái)說(shuō)貼片電阻的使用可以有效的提供電路的安全性，同時(shí)也對(duì)產(chǎn)品的解決方案有很大提高。

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