大功率電阻在電壓比較器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中有哪些優(yōu)點(diǎn)

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2021-04-13

大功率電阻在VGA電路中為了獲得滿意的相位裕度PM，式23的分子必須大于分母。人們普遍認(rèn)為PM = 60°足以維持放大器電路的穩(wěn)定運(yùn)行，當(dāng)比值p2/GBW≈2時(shí)即可滿足。關(guān)于PM，有一點(diǎn)很重要，它受到增益A1的負(fù)面影響，因此A1值很高會(huì)導(dǎo)致PM降低。另一方面，如果在高增益電平A1的情況下，VGA是穩(wěn)定的，那么在低增益電平，也就是的情況下，VGA也會(huì)保持穩(wěn)定。

大功率電阻在電源電壓VDD為0.4 V時(shí)工作的電壓比較器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。由于電壓跨度非常有限，比較器必須能夠處理鐵軌到鐵軌范圍內(nèi)的輸入信號。關(guān)于電壓比較器的另一個(gè)重要特性是遲滯。所提出的比較器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包含四層遲滯，通過輸入數(shù)字碼可編程。額外的但非常受歡迎的功能，特別是在低功率電路是使能功能。其目的是抑制電路的功能，將內(nèi)部電流消耗降低到漏電范圍內(nèi)。可以很容易地觀察到所討論的比較器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的三個(gè)MOS晶體管堆疊的比較器電路不同，這個(gè)提議的比較器只使用兩個(gè)堆疊的器件，顯然可以在較低的供電電壓水平下工作。

大功率電阻設(shè)計(jì)VGA電路第二個(gè)好處是，一個(gè)差分結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)軌到軌的輸入電壓范圍，而不是兩個(gè)單獨(dú)的PMOS和NMOS放大器并行組合。另一個(gè)重要的貢獻(xiàn)，如果比較傳統(tǒng)比較器，是基于缺乏內(nèi)部偏差參考塊。這一特性簡化并加快了設(shè)計(jì)過程，降低了總體靜態(tài)電流消耗，并允許通過各自晶體管大小的電路支路設(shè)置電流。電路的模擬核心以及器件的尺寸。讓討論一下特低壓軌對軌電壓比較器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?？梢钥吹?，輸入信號是由大塊驅(qū)動(dòng)的MOS晶體管處理的。大功率電阻這是一種解決各自器件閾值電壓問題的好方法。與相當(dāng)奇特的體積驅(qū)動(dòng)電路有關(guān)的最可怕的問題是所謂的閉鎖效應(yīng)，它會(huì)導(dǎo)致電力供應(yīng)軌之間的災(zāi)難性短路。但當(dāng)電源電壓設(shè)置為VDD = 0.4 V時(shí)，則不會(huì)發(fā)生這種情況，因?yàn)榧词乖赥 = 150℃時(shí)，PN結(jié)的閾值電壓也不會(huì)下降到規(guī)定的值以下。

圖12。

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