厚膜電阻器和二極管連接的MOS晶體管電路特點(diǎn)

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2021-04-13

在很多電路中第一級由電子元器器件Min+，厚膜電阻器和二極管連接的MOS晶體管M1組成。輸入節(jié)點(diǎn)是實(shí)際的比較器輸入端子。厚膜電阻器在本例中，輸出節(jié)點(diǎn)是名為“A”的節(jié)點(diǎn)。正如可以觀察到的，體積驅(qū)動的最小值+固有地包含負(fù)電壓反饋，這不幸地降低了電壓放大低于統(tǒng)一。在小信號模型中，這被描述為兩個電流源相互作用。厚膜電阻器第一級電壓放大的精確解析表達(dá)式由式24定義。很明顯，總體放大取決于激活的滯后器件。

第二放大階段由M2和M4器件組成。輸入端口是“A”節(jié)點(diǎn)，輸出端口是名為“B”的節(jié)點(diǎn)。“厚膜電阻器這些器件形成了PMOS共源放大器的經(jīng)典配置，二極管連接晶體管充當(dāng)負(fù)載。小信號模型產(chǎn)生Eq.25，它定義了第二階段的電壓放大。模型的第三階段，也就是最后階段，由裝置M3和M9組成。然而，由于厚膜電阻器電路已經(jīng)解釋的原因，可以交換MOS晶體管M9與器件M5，如果需要。這一級的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以描述為MOS晶體管作為固定偏置負(fù)載的共源放大器。小信號模型也揭示了一個事實(shí)，即最后階段是由第一階段驅(qū)動的。因此，第二階段對整體的放大毫無貢獻(xiàn)。由最后一級提供的分析電壓放大由式26定義。

厚膜電阻器設(shè)計(jì)電路正如前面所討論的，最終的電壓放大是各階段部分放大作用的乘積。然而，最終的解析公式是不必要的復(fù)雜，可以顯著簡化，如果電路設(shè)計(jì)者遵循一些常識規(guī)則。最基本的是與“合理”的通道長度和/或最小的通道長度調(diào)制以及模擬核中晶體管的飽和工作模式有關(guān)。如果滿足這個要求，厚膜電阻器則式24中分母中各器件的輸出電導(dǎo)gds之和可以忽略，因?yàn)樗绕淇珉妼?dǎo)gm之和要小幾個數(shù)量級?？紤]到第二階段對總收益沒有貢獻(xiàn)，可以將結(jié)果公式改寫。

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