電流檢測(cè)電阻應(yīng)用在微控制器上有哪些特點(diǎn)

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2021-05-11

電流檢測(cè)電阻設(shè)計(jì)的通常微控制器處理的數(shù)據(jù)是一個(gè)8位位的gus，例如用8位位的數(shù)據(jù)填充蓄電池，用8位位的蓄電池填充，用8位的內(nèi)存內(nèi)容組合起來，等等。IC模塊具有每位處理數(shù)據(jù)的能力，對(duì)于PSW中的這些位攜帶需要被視為蓄電池位，并對(duì)布爾操作進(jìn)行了特殊的指導(dǎo)。比特操作對(duì)象正如前面提到的，20到2F的數(shù)據(jù)可以用于位級(jí)別的信息。這個(gè)國家的每一個(gè)字節(jié)內(nèi)存可以容納8比特的信息的每個(gè)單獨(dú)的編號(hào),假設(shè)0位，可以被稱為位號(hào)碼0，因此，$20到$2F的數(shù)據(jù)可以用于存儲(chǔ)128位的內(nèi)存。此外，電流檢測(cè)電阻電路比特操作還可以在80至FF的數(shù)據(jù)中銷售，通常被稱為特別功能注冊(cè)表單。只有具有十進(jìn)制零進(jìn)制或八十進(jìn)制數(shù)字的SFR才能對(duì)位元操作進(jìn)行128位元的處理，從80到FF不等。

電流檢測(cè)電阻電路用于此目的的工具包括2個(gè)指令，即SETB設(shè)置字節(jié)用于1位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的1值，而CLR則用于1位二進(jìn)制數(shù)據(jù)的0值。上述SETB ACC上的指令使的比特值為1，但考慮到位元計(jì)價(jià)器的比特?cái)?shù)，上述SETB指令的兩個(gè)結(jié)果都是一樣的。同樣的，在接下來的兩項(xiàng)CLR指令中，這些指令將使p1.1的值為0。除此之外，還需要記住，p1.1連接到IC模塊的腳上，所以在P0、P1、P2和P3上的SETB和CLR操作可以直接通過電壓表進(jìn)行測(cè)量，否則這些操作可以直接用于/關(guān)閉IC IC模塊以外的電路。二進(jìn)制數(shù)據(jù)傳輸在位操作中，位攜帶在狀態(tài)字程序中被視為蓄電池。IC模塊中位位級(jí)數(shù)據(jù)256，可以從一個(gè)位置移動(dòng)到另一個(gè)位置，這一請(qǐng)求是由具有積累比特性質(zhì)的載波支架進(jìn)行的。

電流檢測(cè)電阻電路這些位級(jí)數(shù)據(jù)樣本可以這樣做上面的兩個(gè)指令將復(fù)制端口1位1位到端口1位0的電壓，這樣兩條腿的電壓都是相同的。上述256位數(shù)據(jù)均可在此指示下傳送。邏輯操作通常包括四件事，即操作、操作或操作、執(zhí)行前或不操作。電流檢測(cè)電阻和IC模塊只能執(zhí)行現(xiàn)有的三種邏輯操作，即用于操作或操作的指令和指令。PSW上的位攜帶被視為蓄電池位，因此在位載中存儲(chǔ)的位與操作或操作之間，與上面討論的256位數(shù)據(jù)中的位之一進(jìn)行操作。

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