精密電阻在脈沖振幅較低會導致電阻阻力減少

來源：萬利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時間：2021-03-30

精密電阻實現(xiàn)使用成分表中值的抗性表現(xiàn)出初始阻力，初始阻力減少隨后的重大阻力增加在高電壓脈沖壓力。脈沖振幅較低導致阻力減少由于導電機制的變化,通過導電粒子和燒結金屬導電接觸和隧道通過玻璃壁壘。高壓處理會影響相鄰導電粒子之間的薄玻璃層中陷阱捕獲的電荷，或者由于燃燒過程中絕緣層中引入的雜質(zhì)，陷阱濃度會增加。此外，精密電阻由于單鏈從非導電狀態(tài)轉變?yōu)閷щ姞顟B(tài)，可能會發(fā)生輕微的電阻下降。

精密電阻高壓處理在MIM設備內(nèi)部產(chǎn)生的電場不足以引起介質(zhì)突破，因此不會出現(xiàn)由于相鄰粒子之間接觸數(shù)量增加而導致的電阻下降。當宏觀結構發(fā)生變化時，精密電阻當脈沖電壓達到臨界點時，測量的電阻大幅增加。高壓處理導致燃燒和蒸發(fā)的電阻層，從而減少其體積，并導致顯著的電阻增加，類似于在精密電阻的組成與低片電阻。自從低頻率噪聲應承擔的厚膜電阻應承擔的電荷傳輸?shù)慕Y果波動,噪聲指數(shù)與電阻的值在協(xié)議的行為。

精密電阻由于高壓治療,傳導正在調(diào)制電荷陷阱捕捉到不直接參與導電,從而改變MIM單位的潛在障礙的高度。由于這些原因，測量的噪聲指數(shù)值對微觀結構水平的變化比電阻更敏感。結構特性和低頻噪聲之間已建立的相關性也可以通過噪聲譜測量來說明?？梢詫Ξ斍霸肼曌V的實驗結果和以下理論關系進行擬合:其中kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度，R為精密電阻電阻膜。1/f噪聲用第二項表示，其中B0和γ為擬合參數(shù)。洛倫茲形狀的噪聲譜的和由第三項表示，其中Ci和fCi分別是特征參數(shù)和頻率。

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