厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測(cè)量包括哪些方面

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子閱讀量：2000發(fā)布時(shí)間：2021-03-31

厚膜電阻在高壓脈沖應(yīng)力前后歸一化噪聲幅值B0/I2。與擬合參數(shù)B0相反，歸一化后的噪聲振幅無(wú)量綱化。出的數(shù)據(jù)類似，1/f噪聲在應(yīng)用高壓處理時(shí)增加了大約一個(gè)數(shù)量級(jí)。在進(jìn)行擬合程序后，厚膜電阻在金屬涂膜單元的絕緣層中存在陷阱引起的波動(dòng)所引起的洛倫茲項(xiàng)可以觀察到電流噪聲譜的輕微彎曲。盡管被1/f噪聲掩蓋，洛倫茲項(xiàng)影響了測(cè)量值和理論關(guān)系的一致性。高壓脈沖應(yīng)力前后的電流噪聲譜分析與電阻和噪聲指標(biāo)的特性一致。值得注意的是，具有中等片狀電阻的電阻器中的傳導(dǎo)機(jī)制結(jié)合了導(dǎo)電相含量高或低的電阻器中的傳導(dǎo)機(jī)制。

厚膜電阻應(yīng)用低頻噪聲測(cè)量包括當(dāng)前噪聲頻譜和噪聲指數(shù)測(cè)量，提供的結(jié)果對(duì)宏觀和微觀結(jié)構(gòu)的變化比測(cè)量的電阻值更敏感。這一事實(shí)在可靠性分析中具有特別重要的意義，當(dāng)厚電阻膜的應(yīng)變引起電阻的可逆變化時(shí)。當(dāng)基于高片電阻組成的厚膜電阻被關(guān)注時(shí)，由于導(dǎo)電相的低體積分?jǐn)?shù)，主要的傳導(dǎo)機(jī)制是穿隧穿過(guò)玻璃屏障。應(yīng)力會(huì)引起顯著的微觀結(jié)構(gòu)變化，改變屏障電阻，并導(dǎo)致顯著的電阻下降，類似于在電阻的基礎(chǔ)上看到的中片電阻組成。

厚膜電阻實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，噪聲指標(biāo)值與電阻行為一致，即隨著電阻的逐漸減小，NI值逐漸增加，在電阻減小的停滯期達(dá)到恒定值(飽和)對(duì)厚膜電阻的機(jī)械應(yīng)變和電應(yīng)變的研究表明，這兩種類型的應(yīng)變對(duì)這些復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)的行為有相反的影響。檢查機(jī)械和電氣應(yīng)變對(duì)厚膜電阻同時(shí)產(chǎn)生的影響對(duì)于敏感設(shè)備的開發(fā)是特別有趣的，因?yàn)闄C(jī)械和電氣應(yīng)變同時(shí)產(chǎn)生可能會(huì)影響電阻承受高壓處理的能力。

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