厚膜貼片電阻低頻噪聲的來(lái)源與電荷輸運(yùn)機(jī)制有關(guān)

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2021-03-29

厚膜貼片電阻實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)果相對(duì)電阻、應(yīng)變系數(shù)變化和噪聲指數(shù)對(duì)厚膜貼片電阻受到同時(shí)影響機(jī)電緊張以及總結(jié)情節(jié)相對(duì)厚膜貼片電阻變化的電同時(shí)機(jī)械和電緊張10 kΩ/平方厚膜電阻應(yīng)承擔(dān)a - 10每系列脈沖,B-single脈沖,電阻器寬度:w = 1毫米,長(zhǎng)度:l = 4毫米。在厚膜貼片電阻組成的情況下，小的導(dǎo)電/隔離相比決定了主要的導(dǎo)電機(jī)制—穿過(guò)玻璃屏障的隧道。這種小體積的導(dǎo)電相導(dǎo)致了顯著的微觀結(jié)構(gòu)變化，改變了阻擋電阻，導(dǎo)致電阻顯著下降。測(cè)量因子的變化隨應(yīng)用應(yīng)變和噪聲指標(biāo)值的增加而增加。給出了機(jī)械和電氣同時(shí)承受100 k ω /sq厚膜電阻的相對(duì)電阻、測(cè)量因子變化和噪聲指數(shù)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

厚膜貼片電阻中厚阻膜中低頻噪聲的來(lái)源與電荷輸運(yùn)機(jī)制有關(guān);金屬導(dǎo)電與接觸電阻率和粒子電阻率的電阻波動(dòng)有關(guān)，而隧穿玻璃屏障與噪聲有關(guān)，這是由于噪聲的調(diào)制和金屬注入模組絕緣層中陷阱的存在所引起的波動(dòng)。為厚阻膜同時(shí)進(jìn)行電、機(jī)械應(yīng)變前后的電流噪聲譜實(shí)驗(yàn)結(jié)果，其相對(duì)電阻、測(cè)量因子和噪聲指數(shù)變化的實(shí)驗(yàn)結(jié)果?，F(xiàn)有的數(shù)據(jù)表明，微觀結(jié)構(gòu)水平的變化導(dǎo)致初始阻力下降。宏觀結(jié)構(gòu)水平的變化則有相反的作用。初始電阻減小后電阻增大，從而達(dá)到初始電阻值。

厚膜貼片電阻為了充分理解影響相關(guān)的電流噪聲同時(shí)緊張的厚膜電阻,根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)擬合過(guò)程實(shí)施了和理論關(guān)系。作為一個(gè)例子,曲線的擬合和實(shí)驗(yàn)結(jié)果,一起貢獻(xiàn)不同的噪聲源的總電流噪聲頻譜。在總電流噪聲譜中，占主導(dǎo)地位的1/f噪聲包括粒子和接觸電阻率波動(dòng)引起的1/f噪聲和絕緣子奈奎斯特噪聲引起的勢(shì)壘高度波動(dòng)]。利用1/f噪聲擬合參數(shù)γ和B0可以評(píng)價(jià)機(jī)電同時(shí)應(yīng)變對(duì)1/f噪聲的影響。在機(jī)械應(yīng)變和電應(yīng)變同時(shí)進(jìn)行前后，擬合參數(shù)γ值均為1,B0值如。

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