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喜氣洋洋迎新年，MICROHM祝大家龍年吉祥！
玉兔擺尾辭冬去，喜氣洋洋迎龍年。 送別2023年，即將迎來2024年新春龍年。在過去一年里MICROHM以創(chuàng)新為動力，緊跟行業(yè)發(fā)展的最新趨勢，將先進的技術應用于精密電阻器研發(fā)中，不斷推出各種低溫度系數(shù)、高脈沖負載、低熱電動勢、穩(wěn)定性良好、低寄生電感、精密電阻器件。在各個領域的市場中，以優(yōu)異的生產設備及技術能力深受客戶的青睞，采用國際先進技術為客戶提供全面的電阻解決方案。 新年...
發(fā)布時間：2024-02-06 [查看詳情+]
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MICROHM訪問日本東京工業(yè)大學
2019年7月9日，MICROHM與香港深圳聯(lián)合科技考察團一同訪問位于東京都的東京工業(yè)大學，東京工業(yè)大學（Tokyo Institute of Technology）是一所頂尖的國立科技大學，有著130多年的歷史。在Ookayama, Suzukakedai和Tamachi校區(qū)的大約10,000名學生中。 東京工業(yè)大學（Tokyo Institute of Technology）在日本理工科大學之最。校區(qū)位于東京都目黑區(qū)與橫浜市綠區(qū)，東京工業(yè)大學在工程技術與自然科學上是日本頂尖、世界一流的理工科...
發(fā)布時間：2019-07-10 [查看詳情+]
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貼片電阻器和MOS晶體管是低壓集成電路設計中常用元器件
貼片電阻器可以在標準CMOS技術中使用的低壓設計技術和方法的調查沒有額外的過程步驟被提出。一般來說，低壓設計技術可分為兩大類:傳統(tǒng)方法和非常規(guī)方法。非常規(guī)方法包括體積驅動BD方法、動態(tài)閾值技術、浮門方法、準浮門方法和體積驅動準浮門方法。然而，只有采用體積驅動和動態(tài)閾值方法設計的電路可以在標準CMOS技術中實現(xiàn)，而無需修改制造工藝。另一方面，傳統(tǒng)的電路技術，如軌到軌輸入...
發(fā)布時間：2021-04-08 [查看詳情+]
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金屬箔電阻器應用在CMOS逆變器中有哪些用途
金屬箔電阻器是一種常用電路半導體，金屬箔電阻器在很多動態(tài)閾值逆變器拓撲圖可以被認為是一種適合的超低功耗和低壓電荷泵設計的建筑單元。對于這樣的系統(tǒng)，一個非常重要的設計考慮因素是不可避免的雙阱CMOS制造工藝，因為PMOS和NMOS器件都需要通過各自的阱與共同襯底隔離。金屬箔電阻器使用另一個需要考慮的問題是電源電壓的限制。其電平不能超過0.6 V室溫下。否則寄生的NPN和PNP雙極晶體管...
發(fā)布時間：2021-04-08 [查看詳情+]
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貼片電阻和晶體管適用于低壓和低頻應用
貼片電阻和晶體管是常用的電子元器件，貼片電阻和晶體管在BD差分放大器是另一種廣泛且經常實現(xiàn)的電路拓撲圖，但是，在大容量驅動配置中。電子器件M1和M2的柵端子與最低電位相連，以保證最高可能的倒置水平。傳統(tǒng)的差分放大器拓撲結構由于需要超過輸入對閾值電壓和偏置高側晶體管的最小飽和電壓而受到輸入共模范圍VCM的限制。VCM電壓范圍如式所示。 貼片電阻和晶體管在輸入BD晶體管用于獲得...
發(fā)布時間：2021-04-07 [查看詳情+]
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功率電阻在VGA電壓增益電路上有哪些作用
一般來說功率電阻在很多電源設備上是常用的產品，功率電阻經?？梢允褂迷谝恍╇妷涸鲆骐娐飞?，列如整個VGA電壓增益可以通過調節(jié)總電導或總輸出阻抗來控制。因此，采用M5和M6晶體管來控制VGA增益?？刂齐妷篤CTRL的改變調節(jié)了通過輸入器件M1和M2的電流，最終改變了它們的有效跨導。實際上，這將改變第一級的電壓放大，這將導致擬議VGA的總體增益的修改。VGA電壓總增益與增益控制器件gm5和gm6的跨...
發(fā)布時間：2021-04-07 [查看詳情+]
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精密功率電阻器在應用特低壓比較器模擬核
精密功率電阻器在應用特低壓比較器模擬核輸入PMOS器件Min+和Min作為電流源。精密功率電阻器根據(jù)式流過輸入支路的靜態(tài)電流受到輸入電壓的調制。由于跨導幾乎是理想恒定的，所以整個輸入電壓范圍內的電壓到電流轉換是以高度線性的方式進行的。輸入支路的電流隨后通過M1-M10器件組成的統(tǒng)一電流鏡像系統(tǒng)進行復制。差電壓是通過電流到電壓的轉換在名為diff和diff的節(jié)點中產生的，差分信號由數(shù)字塊...
發(fā)布時間：2021-04-07 [查看詳情+]
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精密電阻在集成電路設計中應用最廣泛的電路結構
精密電阻在集成電路設計中應用最廣泛的電路結構之一，可以說是電流反射鏡(CM)。該電路為二端口電路，對輸入電流IREF進行處理，根據(jù)公式生成輸出電流IOUT，其中k為放大(或鏡像)系數(shù)。描述了一個簡單CM的BD配置。顯然，使用體積驅動晶體管可以設計更復雜的CM結構。兩個MOS器件M1和M2的散裝端子連接在一起并連接到輸入支路。柵極端子由靜態(tài)電壓Vbias偏置。在輸入端，電壓降VBS是由輸入參考電流流產生...
發(fā)布時間：2021-04-02 [查看詳情+]
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插件電阻和MOS晶體管有非常重要的設計意義
插件電阻和MOS晶體管經常應用于各種電路設計，目前基于設計電荷表的EKV MOS晶體管模型的發(fā)展大大改善了這種情況。與基于行業(yè)標準閾值電壓的BSIM模型不同，EKV模型定義MOS器件的參數(shù)依賴于反轉能級的連續(xù)范圍。EKV模型還引入了所謂的gm/ID設計方法，這種方法可以實現(xiàn)簡單而準確的手工計算，直接的晶體管尺寸和完全獨立的技術。在電路中，定義了反轉能級，也稱為MOS結構的反轉系數(shù)(IC)。 插件電阻和...
發(fā)布時間：2021-04-02 [查看詳情+]
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貼片電阻采用新技術設計對于電阻小型化發(fā)展非常重要
貼片電阻是集成電路設計重要電子元器件，目前集成電路采用新工藝進行生產，從集成電路設計的角度來看，降低VDD值造成的主要問題之一是降低了現(xiàn)有和標準電路拓撲的有用電壓范圍。模擬電路主要受到這種限制缺陷的影響。降低閾值電壓，以及MOS(金屬氧化物半導體)晶體管柵氧化層變薄，會導致亞閾值漏電流急劇上升，這在納米技術中是相當?shù)湫偷?。這些原因限制了閾值電壓的進一步降低。設備和...
發(fā)布時間：2021-04-02 [查看詳情+]
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萬利隆電阻生產公司提供各種插件電阻、貼片電阻、薄膜電阻、功率電阻、精密分流器、金屬箔電阻、金屬膜電阻、合金電阻、低溫漂電阻、繞線電阻、水泥電阻等電阻器，MICROHM是一家全方位電阻廠，生產各種無感電阻、軍工級電阻、電流檢測電阻、厚膜芯片電阻、鋁殼電阻、大功率黃金鋁殼電阻等電阻
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